光學設備在半導體制造領域的部分應用

半導體是指具有半導體特性的材料，它們在一定條件下能夠傳導電流，但在其他條件下卻能阻止電流的通過。半導體的導電性能介于導體和絕緣體之間。常見的半導體材料包括硅、鍺、砷化鎵等。

半導體作為當代科技的核心組成部分，半導體目前在電子、通信、計算機、醫療、光伏和汽車領域發揮著舉足輕重的作用。通過對半導體材料、工藝和使用技術的不斷探索，未來在新材料和新工藝的研究與應用、集成化與智能化、環保和可持續發展、生物電子與神經科技和量子計算與量子通信等領域都極可能是新的趨勢。

半導體產品的制造需要數百個工藝，通常來講，整個制造過程分為八個步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。

卓立漢光作為國內一家光譜、光機和激光設備制造商，在半導體制造過程中可以提供一些加工或者測試設備。

晶圓加工：

所有半導體工藝都始于一粒沙子！因為沙子所含的硅是生產晶圓所需要的原材料。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)制成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，一種二氧化硅含量高達95%的特殊材料，也是制作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是制作獲取上述晶圓的過程。

在晶圓切割中，卓立漢光提供壓電系列產品，比如Carrier系列物鏡對焦臺和Carrier系列多維運動位移臺。

亞納米物鏡自動對焦臺Carrier.OBHLxx.C.HV系列

特點：

• 最快穩定時間(90% 位置穩定) 15ms 以內

• 閉環分辨率優于 1nm

• 最大負載 500 g

• 控制器兼容多場科技 Motion Controller - Archimedes Series

• 支持無磁 (.NM) 、高真空 (HV) 和超高真空 (.UHV) 選件

Carrier.S200.xy/xyz.C系列中空壓電掃描臺

產品特?

• 兩維度XY 掃描運動 200 um × 200 um；

• 閉環定位精度優于 1nm；

• 最?負載 500 g；

• 針對光學顯微鏡-超分辨定制化解決?案；

• ?持?磁( .NM)和?真空( .UHV)選件升級

CarrierHS100.xxx.C/S系列中空壓電掃描臺

• 閉環分辨率優于 1nm

• 最大負載 3.5 kg

• 針對光學顯微鏡-超分辨定制化解決方案

• 支持無磁 (NM) 和高真空 (UHV) 選件升級

光刻

光刻是通過光線將電路圖案“印刷"到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。

在光刻工藝中，卓立漢光可以提供主動隔振臺、氣浮直線電機、單維或多維掃描描臺和物鏡對焦臺等壓電產品和193nm激光器。

主動隔振臺

主要特征

• 無低頻共振 - 低頻范圍內具有優異的隔振特性

• 低至0.6Hz開始主動隔振(>200Hz被動隔振）

• 只需0.3秒的設置時間

• 自動調節負載

• 因固有剛度具有高度的位置穩定性

• 接電即可，無需壓縮空氣

• 真正的主動隔振：即時產生反作用力來抵消振動

氣浮直線電機

特點：

• 最高可實現1um左右的運動直線度與運動平行度。

• 最高可實現亞微米級別定位精度

• 支持龍門結構定制。

• 氣浮直線電機是實現長行程、大負載、高速、高精度的需求的*優解。

深紫外單縱模固體激光器Ixion193

IXION 193為全固化單頻激光器，其線寬達到變換極限，可用于光學計量、193nm 步進光學系統校準、高功率準分子激光器種子等。

典型應用：

• 光譜儀校準；

• 光刻；

• 干涉儀；

• 193nm 計量測量

• 準分子激光器種子源

薄膜沉積

為了創建芯片內部的微型器件，需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構建起來的。這里所說的“薄膜"是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜"。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積"

要形成多層的半導體結構，需要先制造器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結構。可用于沉積過程的技術包括化學氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積 (PVD)，采用這些技術的方法又可以分為干法和濕法沉積兩種。

化學氣相沉積

原子層沉積

物理氣相沉積

在薄膜沉積的過程中，卓立漢光可以提供一系列的壓電位移臺，比如：LsXX.lab/LsXX.lab.系列壓電納米線性位移臺。

特點：

• 超安靜運動，20HzZ驅動頻率

• 閉環控制·位置傳感支持電阻型(R和光學型(.0)

• 高精度空間傳感分辨率(.0)10nm(默認)；4.88nm2.44nm,lnm可選

• 經濟型空間傳感分辨率(R)100-200nm

• *小步伐約10 nm

• 可提供多軸堆疊安裝轉接件

• 控制器兼容旋轉臺，搖擺臺

•高真空 (HV) 和超高真空支持無磁 (NM) 、(UHV) 選件

晶圓測試

半導體晶圓PL光譜測試系統針對第三代半導體，如GaN、InGaN、AlGaN等，進行溫度相關光譜和熒光壽命測試。同時可測量外延片的膜厚、反射率及相應的Mapping圖。

熒光光譜的峰值波長、光譜半寬、積分光強、峰強度、熒光壽命與電子/空穴多種形式的輻射復合相關，雜質或缺陷濃度、組分等密切相關，通過白光干涉技術測量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翹曲度。

半導體晶圓PL光譜測試系統

半導體晶圓PL光譜測試系統

隨著半導體技術的進步和更新，卓立漢光也會及時推出符合科研和工業生產需要的配套加工和檢測設備，敬請關注。